| 发明名称 | Ni膜的成膜方法 | ||
| 摘要 | 进行一次或多次包括以下工序的循环：通过CVD在基板上形成含氮的Ni膜的工序，其中，作为成膜原料使用脒基镍，作为还原气体使用选自氨、肼或这些的衍生物中的至少一种；和对形成的含氮的Ni膜供给氢气，以Ni作为催化剂产生原子氢，通过产生的原子氢使氮从上述含氮的Ni膜脱离的工序。 | ||
| 申请公布号 | CN102405304A | 申请公布日期 | 2012.04.04 |
| 申请号 | CN201080017418.3 | 申请日期 | 2010.09.28 |
| 申请人 | 东京毅力科创株式会社 | 发明人 | 铃木干夫;西森崇;汤浅秀树 |
| 分类号 | C23C16/18(2006.01)I;C23C16/44(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L21/285(2006.01)I | 主分类号 | C23C16/18(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人 | 龙淳 |
| 主权项 | 一种Ni膜的成膜方法，其特征在于：进行一次或多次包括以下工序的循环：通过CVD在基板上形成含氮的Ni膜的工序，其中，作为成膜原料使用脒基镍，作为还原气体使用选自氨、肼或这些的衍生物中的至少一种；和对所述含氮的Ni膜供给氢气，以Ni作为催化剂产生原子氢，利用产生的原子氢使氮从所述含氮的Ni膜脱离的工序。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||