发明名称 |
一种用于多晶硅锭制备的复合涂层石英坩埚 |
摘要 |
本发明公开了一种用于多晶硅锭制备的复合涂层石英坩埚,包括基体、中间过渡层、第二中间层和内表面涂层,所述基体的内壁设有中间过渡层,中间过渡层上设有第二中间层,第二中间层上设有内表面涂层。本发明是根据石英坩埚在使用过程中高温加热的步骤和煅烧时间的长短,采用具有不同热学性能的涂层材料在石英坩埚基体上分层次进行涂层,来提高石英坩埚的抗侵蚀能力,达到降低硅与石英坩埚反应强度的目的。 |
申请公布号 |
CN102400214A |
申请公布日期 |
2012.04.04 |
申请号 |
CN201010286199.0 |
申请日期 |
2010.09.16 |
申请人 |
扬州华尔光电子材料有限公司 |
发明人 |
杨业林;陈宝昌 |
分类号 |
C30B28/06(2006.01)I;C30B29/06(2006.01)I |
主分类号 |
C30B28/06(2006.01)I |
代理机构 |
南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 |
代理人 |
徐激波 |
主权项 |
一种用于多晶硅锭制备的复合涂层石英坩埚,其特征在于:包括基体(1)、中间过渡层(2)、第二中间层(3)和内表面涂层(4),所述基体(1)的内壁设有中间过渡层(2),中间过渡层(2)上设有第二中间层(3),第二中间层(3)上设有内表面涂层(4)。 |
地址 |
225600 江苏省高邮市经济开发区长江路科技创新中心 |