存储元件和存储装置

摘要

本发明公开了一种存储元件和存储装置，该存储元件包括：存储层，具有垂直于膜表面的磁化，并且其磁化方向相应于信息而变化；磁化固定层，具有垂直于该膜表面的磁化；以及绝缘层，设置在该存储层和该磁化固定层之间，其中，沿着层结构的层叠方向注入自旋极化的电子，从而该存储层的磁化方向发生变化，对该存储层进行了信息记录，该存储层所接收的有效反磁场的大小小于该存储层的饱和磁化量，并且，以接触该磁化固定层的与该绝缘层侧相反的面的方式形成有Ta膜。

主权项

一种存储元件，包括：存储层，具有垂直于膜表面的磁化，并且其磁化方向相应于信息而变化；磁化固定层，具有垂直于所述膜表面并且成为存储在所述存储层中的信息的基准的磁化；以及绝缘层，设置在所述存储层和所述磁化固定层之间，并由非磁性材料形成；其中，在具有所述存储层、所述绝缘层和所述磁化固定层的层结构的层叠方向上注入自旋极化的电子，从而所述存储层的磁化方向发生变化，对所述存储层进行了信息记录，所述存储层接收的有效反磁场的大小小于所述存储层的饱和磁化量，并且以接触所述磁化固定层的与所述绝缘层侧相反的面的方式形成有Ta膜。