发明名称 发光二极管的低光损失电极结构
摘要 一电极结构被揭露以增加一发光二极管的亮度及/或效率。该电极结构具有一金属电极及一透光性厚介电材料形成在该电极及一发光半导体材料之间。该电极及该厚介电材料相互配合反射来自该半导体材料的光回到该半导体材料中以增加前述光最后穿透该半导体材料的可能性。此发光二极管的利用性被提高并适合用于一般照明。
申请公布号 CN101438423B 申请公布日期 2012.04.04
申请号 CN200680054553.9 申请日期 2006.08.31
申请人 普瑞光电股份有限公司 发明人 法兰克·T·萧;威廉·W·苏;史提夫·D·列斯特
分类号 H01L33/00(2006.01)I;H01L29/225(2006.01)I 主分类号 H01L33/00(2006.01)I
代理机构 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人 任默闻
主权项 一种半导体发光二极管结构包括一半导体及用以提供一电位至该半导体的一电极结构,该电极结构包括:一金属电极;及一透光介电材料层形成在一半导体上,该介电材料的折射系数大于或等于1且小于该半导体的折射系数及该介电材料的厚度大于在该介电材料中的光的一波长λ的1/2,该光是由该半导体发出,该介电材料以单一层形式对应该金属电极而形成以增加光的全内反射。
地址 美国加州