发明名称 一种大功率发光二极管封装结构
摘要 本实用新型涉及一种大功率发光二极管封装结构。现有大功率LED封装方式一般都是先在支架或基板上涂覆导热银浆,通过该银浆完成LED芯片和底板的粘合。成本较高,且还会造成LED短路或者漏电等现象发生,影响LED的可靠性。本实用新型包括一基板以及固定于基板上的发光二极管芯片,其特征在于所述的基板和芯片以金锗锡合金焊接而成。本实用新型通过金锗锡合金将发光二极管芯片固定在基板上,使得该封装结构拥有极低的热阻抗和及其优良的散热性能,对于增强大功率发光二极管的可靠性和延迟其使用寿命非常有益,并且成本相对低廉。
申请公布号 CN202183414U 申请公布日期 2012.04.04
申请号 CN201120273022.7 申请日期 2011.07.29
申请人 宁波市鄞州皓升半导体照明有限公司 发明人 张波;谢骅
分类号 H01L33/48(2010.01)I;H01L33/64(2010.01)I 主分类号 H01L33/48(2010.01)I
代理机构 杭州赛科专利代理事务所 33230 代理人 陈辉
主权项 一种大功率发光二极管封装结构,其特征在于:包括一基板以及固定于基板上的发光二极管芯片,其特征在于所述的基板和芯片以金锗锡合金焊接而成。
地址 315100 浙江省宁波市鄞州区四明东路111号