垂直沟道的隧穿晶体管的制造方法

摘要

本发明属于半导体器件技术领域，具体涉及一种垂直沟道的隧穿晶体管的制造方法。围栅型的栅极结构增强了栅极的控制能力，窄禁带宽度材料的源极使得器件的驱动电流得到提升。采用本发明所提出的垂直沟道的型隧穿晶体管的制造方法，可以精确地控制沟道的长度，工艺过程简单，易于控制，降低了生产成本。

主权项

一种垂直沟道的隧穿晶体管的制造方法，其特征在于具体步骤为：提供一个半导体衬底；在所述半导体衬底上形成第一种绝缘薄膜；刻蚀所述第一种绝缘薄膜形成图形；在所述半导体衬底内形成具有第一种掺杂类型的掺杂区；刻蚀所述半导体衬底形成凹槽；覆盖所述凹槽与第一种绝缘薄膜，形成第二种绝缘薄膜；覆盖所述第二种绝缘薄膜，形成第一种导电薄膜；刻蚀所述第一种导电薄膜、第二种绝缘薄膜形成器件的栅极结构；覆盖所述栅极结构形成栅极保护层；刻蚀所述第一种绝缘薄膜露出衬底；刻蚀露出的衬底形成用于后续生长材料的区域；选择性生长窄禁带宽度材料；通过离子注入对所述窄禁带宽度材料进行第二种掺杂类型的掺杂；刻蚀所述栅极保护层形成栅极侧墙；淀积第三种绝缘薄膜形成器件的钝化层；刻蚀所述第三种绝缘薄膜形成接触孔；淀积第二种导电薄膜；刻蚀所述第二种导电薄膜形成电极。