| 发明名称 | MEMS压力传感器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种微机电系统(MEMS)压力传感器件(20、62)及其制造方法。该器件包括其中形成有腔(32、68)的衬底结构(22、64)和其中形成有基准元件(36)的衬底结构(24)。感测元件(44)置于衬底结构(22、24)之间并且与基准元件(36)隔开。感测元件(44)经由腔(68)和基准元件(36)中形成的多个开口(38)中的一个而暴露于外部环境(48)。感测元件(44)能够响应于来自环境(48)的压力激励(54)而相对于基准元件(36)移动。制造方法(76)涉及形成(78)具有腔(32、68)的衬底结构(22、64)、制造(84)包括感测元件(44)的衬底结构(24)、耦接(92)衬底结构和随后在衬底结构(24)中形成(96)基准元件(36)。 | ||
| 申请公布号 | CN102401706A | 申请公布日期 | 2012.04.04 |
| 申请号 | CN201110240721.6 | 申请日期 | 2011.08.22 |
| 申请人 | 飞思卡尔半导体公司 | 发明人 | 林义真;M·E·施拉曼;H·D·德赛;朴佑泰 |
| 分类号 | G01L1/14(2006.01)I;B81B3/00(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I | 主分类号 | G01L1/14(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 申发振 |
| 主权项 | 一种制造微机电系统(MEMS)传感器件的方法，包括：形成具有腔的第一衬底结构；由第二衬底结构的材料层形成感测元件；耦接所述第二衬底结构和所述第一衬底结构，使得所述感测元件置于所述第一和第二衬底结构之间并且与所述腔对准；以及在所述第二衬底结构中形成与所述感测元件对准的基准元件，所述基准元件包括延伸穿过所述第二衬底结构的多个开口，其中所述感测元件经由所述腔和所述多个开口所组成的组中的一个而暴露于所述MEMS传感器件外部的环境。 | ||
| 地址 | 美国得克萨斯 | ||