| 发明名称 | 电荷库结构 | ||
| 摘要 | 本发明涉及绝缘体上半导体型结构的制造方法，所述结构包括供体衬底(10)的半导体层(11)、绝缘体层(60)和受体衬底(20)，所述方法包括将供体衬底(10)键合在受体衬底(20)上，这些衬底中的至少一个被覆有绝缘体层，其特征在于，该方法包括在键合界面形成所谓的俘获界面(30)，所述俘获界面(30)包含适于保持电荷载流子的电活性陷阱。本发明还涉及绝缘体上半导体型结构，所述结构包含俘获界面。 | ||
| 申请公布号 | CN101681872B | 申请公布日期 | 2012.04.04 |
| 申请号 | CN200880018521.2 | 申请日期 | 2008.07.21 |
| 申请人 | 硅绝缘体技术有限公司 | 发明人 | 弗雷德里克·阿利伯特;塞巴斯蒂安·凯尔迪勒 |
| 分类号 | H01L21/762(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/762(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人 | 丁香兰 |
| 主权项 | 一种绝缘体上半导体型结构的制造方法，所述结构包括供体衬底(10)的半导体层(11)、绝缘体层(60)和受体衬底(20)，所述方法包括将供体衬底(10)键合在受体衬底(20)上，所述衬底中的一个被覆有第一介电层(40)，另一衬底被覆有第二介电层(50)，其特征在于，所述方法包括通过键合两个介电层(40、50)，在这两个层(40、50)之间的键合界面处形成适于保持电荷载流子的电活性陷阱，来获得所述绝缘体层(60)。 | ||
| 地址 | 法国伯涅尼 | ||