| 发明名称 | 3DIC叠层中的冷却通道 | ||
| 摘要 | 一种包括3DIC叠层中的冷却通道的集成电路结构，该管芯包括：半导体衬底；第一介电层，在半导体衬底之上；互连结构，包括介电层中的金属线和通孔；多个通道，从半导体衬底内部延伸到介电层内部；以及介电膜，在互连结构之上并密封多个通道的一部分。多个通道被配置为使液体流过其中。 | ||
| 申请公布号 | CN101740553B | 申请公布日期 | 2012.04.04 |
| 申请号 | CN200910222543.7 | 申请日期 | 2009.11.13 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 卿恺明;萧景文;王宗鼎;曾明鸿;陈承先 |
| 分类号 | H01L25/00(2006.01)I;H01L23/473(2006.01)I;H01L23/522(2006.01)I | 主分类号 | H01L25/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德恒律师事务所 11306 | 代理人 | 梁永 |
| 主权项 | 一种集成电路结构，包括：第一管芯，包括：第一半导体衬底；第一介电层，在所述第一半导体衬底之上；第一互连结构，处于所述第一介电层中；第一多个通道，从所述半导体衬底的内部延伸至所述第一介电层的内部；以及第一介电膜，在所述第一互连结构之上并密封所述第一多个通道的一部分，其中，所述第一多个通道被配置为使液体流过其中，所述集成电路结构还包括：第二管芯，所述第二管芯接合至所述第一管芯中的所述第一半导体衬底的背侧，其中，所述第二管芯还包括：第二半导体衬底；第二介电层，在所述第二半导体衬底之上；以及第二互连结构，在所述第二介电层中，并且在所述第二半导体衬底的正侧上；第二多个通道，从所述第二半导体衬底的内部延伸到所述第二介电层的内部，其中，所述第二多个通道的内部空间连接至所述第一多个通道的内部空间；以及第二介电膜，覆盖所述第二互连结构并密封所述第二多个通道中的一部分。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||