使用超临界溶剂在半导体基片上形成金属膜的组合物和方法

摘要

公开用于在半导体基片上形成金属膜的组合物和方法。所公开的方法之一包括：加热该半导体基片以获得加热的半导体基片；将该加热的半导体基片暴露于组合物，该组合物包含包括至少一种配体的金属前体、过量的中性不稳定配体、超临界溶剂、和可选的至少一种B、C、N、Si、P及其混合物的源；在该加热的半导体基片处或其附近将该组合物暴露于还原剂和/或热能；从该金属前体分离该至少一种配体；和形成该金属膜，同时使得金属氧化物的形成最少。

主权项

一种在半导体基片上形成金属膜的方法包括：加热该半导体基片以获得加热的半导体基片；将该加热的半导体基片暴露于一种组合物，该组合物含有包括至少一种配体的金属前体、过量的中性不稳定配体、超临界溶剂、和可选地至少一种B、C、N、Si、P及其混合物的源；在该加热的半导体基片处或其附近将该组合物暴露于还原剂和/或热能；从该金属前体分离该至少一种配体；和形成该金属膜。