发明名称 |
溅射靶材料、其制备方法、及使用其制备的薄膜 |
摘要 |
本发明提供一种用于制备垂直磁记录介质的中间层膜的溅射靶材料、其方法及用其制备的薄膜,其中,向Ni-W-系合金添加Cr使得能够在使中间层中的晶粒在保持结晶性的同时显著微细化。本发明的溅射靶材料由Ni-W-Cr合金制成,所述Ni-W-Cr合金包含以原子%计的下列各项:1至20%的W;1至20%的Cr;和余量的Ni。 |
申请公布号 |
CN102405303A |
申请公布日期 |
2012.04.04 |
申请号 |
CN201080017054.9 |
申请日期 |
2010.02.22 |
申请人 |
山阳特殊制钢株式会社 |
发明人 |
岸田敦;泽田俊之 |
分类号 |
C23C14/34(2006.01)I;B22F3/15(2006.01)I;C22C19/05(2006.01)I;G11B5/851(2006.01)I |
主分类号 |
C23C14/34(2006.01)I |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 11021 |
代理人 |
李新红 |
主权项 |
一种用于制备垂直磁记录介质的中间层膜的溅射靶材料,其中所述溅射靶材料由Ni‑W‑Cr合金制成,所述Ni‑W‑Cr合金包含以原子%计的下列各项:1至20%的W;1至20%的Cr;和余量的Ni。 |
地址 |
日本兵库县 |