| 发明名称 | 闪存器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种嵌入式闪存器件及其制造方法，该方法利用逻辑CMOS制造工艺缩小了存储器件的尺寸并且提高了存储器件的耦合率。该闪存器件包括在半导体衬底的有源区上的耦合氧化层，在耦合氧化层上和/或上方形成的第一控制栅极以及在耦合氧化层和第一控制栅极的侧壁上和/或上方形成的且围绕耦合氧化层和第一控制栅极的侧壁的第二控制栅极。 | ||
| 申请公布号 | CN101388410B | 申请公布日期 | 2012.04.04 |
| 申请号 | CN200810215674.8 | 申请日期 | 2008.09.12 |
| 申请人 | 东部高科股份有限公司 | 发明人 | 李镕俊 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L27/115(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L21/8247(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京博浩百睿知识产权代理有限责任公司 11134 | 代理人 | 宋子良;吴淑平 |
| 主权项 | 一种闪存器件，包括：耦合氧化层，形成于半导体衬底的有源区上方；第一控制栅极，形成于所述耦合氧化层上方；以及第二控制栅极，以围绕所述耦合氧化层和所述第一控制栅极的侧面的侧壁形式形成。 | ||
| 地址 | 韩国首尔 | ||