发明名称 |
显示面板的薄膜晶体管及其制作方法 |
摘要 |
一种薄膜晶体管,形成于一基板上。薄膜晶体管包括一栅极、一栅极绝缘层、一第一保护图案、一第二保护图案、一源极、一漏极、一半导体通道层,以及一钝化层。栅极位于基板上,栅极绝缘层位于栅极与基板上,第一保护图案与第二保护图案位于栅极上方的栅极绝缘层上,源极位于栅极绝缘层与第一保护图案上,且漏极位于栅极绝缘层与第二保护图案上。半导体通道层位于栅极绝缘层、源极与漏极上。钝化层位于半导体通道层、源极与漏极上。于源极往漏极的一延伸方向上,第一保护图案的长度小于源极的长度,且第二保护图案的长度小于漏极的长度。 |
申请公布号 |
CN102403364A |
申请公布日期 |
2012.04.04 |
申请号 |
CN201110335092.5 |
申请日期 |
2011.10.26 |
申请人 |
友达光电股份有限公司 |
发明人 |
陈崇道;林武雄;陈勃学 |
分类号 |
H01L29/786(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I |
主分类号 |
H01L29/786(2006.01)I |
代理机构 |
北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 |
代理人 |
梁挥;祁建国 |
主权项 |
一种薄膜晶体管,系形成于一基板上,该薄膜晶体管包括:一栅极,位于该基板上;一栅极绝缘层,位于该栅极与该基板上;一第一保护图案与一第二保护图案,位于该栅极上方的该栅极绝缘层上;一源极,位于该栅极绝缘层与该第一保护图案上;一漏极,位于该栅极绝缘层与该第二保护图案上;一半导体通道层,部分位于该源极与该漏极间的该栅极绝缘层上,且部分位于该源极与该漏极上;以及一钝化层,位于该半导体通道层、该源极与该漏极上;其中于该源极往该漏极的一延伸方向上,该第一保护图案的长度小于该源极的长度,且该第二保护图案的长度小于该漏极的长度。 |
地址 |
中国台湾新竹科学工业园区新竹市力行二路1号 |