发明名称 有机薄膜晶体管的制法
摘要 本发明提供一种能够有效地制造缺点较少且平滑的有机半导体层的有机薄膜晶体管的制法。本发明的有机薄膜晶体管的制法包括:将在溶剂中分散有有机半导体材料的有机半导体墨(I nk)保持于在表面上形成有规定的图案的墨保持部的柔性印刷版(11),使在表面上形成有电极的基材(10)贴紧该柔性印刷版(11),从而将墨保持部的有机半导体墨转印到上述基材(10)之上的工序;使上述转印后的有机半导体墨的溶剂蒸发,在基材(10)之上形成有机半导体层的薄膜的工序。
申请公布号 CN102403460A 申请公布日期 2012.04.04
申请号 CN201110272066.2 申请日期 2011.09.09
申请人 株式会社小村技术 发明人 梅岛隆一;西山聪
分类号 H01L51/40(2006.01)I 主分类号 H01L51/40(2006.01)I
代理机构 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 代理人 刘新宇;张会华
主权项 一种有机薄膜晶体管的制法,其特征在于,该有机薄膜晶体管的制法包括:在具有挠性的基材的表面上形成源电极及漏电极的工序;将在溶剂中分散有有机半导体材料的有机半导体墨保持于在表面上形成有规定图案的墨保持部的柔性印刷版,使上述基材与该柔性印刷版贴紧,从而将墨保持部的有机半导体墨转印到上述源电极及漏电极之上的工序;使上述转印后的有机半导体墨的溶剂蒸发且形成用于覆盖上述源电极及漏电极的有机半导体层的工序;在该有机半导体层上层叠由电介质构成的栅绝缘层的工序;在上述栅绝缘层上的规定位置上层叠栅电极的工序。
地址 日本大阪府