| 发明名称 | 一种晶圆级封装VDRDL重新布局技术 | ||
| 摘要 | 一种晶圆级封装VDRDL重新布局技术，它涉及一种晶圆封装技术。它的工艺流程为：1)介电层镀膜；2)Die Pad保护并以光罩将回路形成；3)将金属液体倒入晶圆，并使其均匀分布，并形成纳米金属粉末沉积，液体飘在沉积物表面；4)真空下，液体升华为气体，并加温使纳米金属粉末融化并固化；5)磨除多余介电层，保护回路，并钝化处理；6)殖球。它能克服不连续和气孔产生的问题，而金属粉末已被烧结成为连续固体，因此不会有破碎和剥离的可能。 | ||
| 申请公布号 | CN102403235A | 申请公布日期 | 2012.04.04 |
| 申请号 | CN201010281597.3 | 申请日期 | 2010.09.15 |
| 申请人 | 涂嘉晋;李应煌 | 发明人 | 涂嘉晋;李应煌 |
| 分类号 | H01L21/50(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/50(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 | 代理人 | 龚燮英 |
| 主权项 | 一种晶圆级封装VDRDL重新布局技术，其特征在于它的工艺流程为：1)介电层镀膜；2)Die Pad保护并以光罩将回路形成；3)将金属液体倒入晶圆，并使其均匀分布，并形成纳米金属粉末沉积，液体飘在沉积物表面；4)真空下，液体升华为气体，并加温使纳米金属粉末融化并固化；5)磨除多余介电层，保护回路，并钝化处理；6)殖球。 | ||
| 地址 | 中国台湾台北县板桥市东丘里7邻中山路二段90巷1号五楼 | ||