| 发明名称 | 金属氧化物半导体场效晶体管布局及结构 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种金属氧化物半导体场效晶体管布局及结构，其中金属氧化物半导体场效晶体管布局包含一漏极区、一栅极区、一源极区及一基极区。栅极区位于漏极区的外侧并邻接漏极区。源极区具多个源极区块，位于栅极区的外侧并邻接栅极区，源极区块之中任两相邻的源极区块之间有一源极空白区域。基极区具有至少两基极部，分别位于源极空白区域，并邻接栅极区。 | ||
| 申请公布号 | CN102403310A | 申请公布日期 | 2012.04.04 |
| 申请号 | CN201010281515.5 | 申请日期 | 2010.09.13 |
| 申请人 | 登丰微电子股份有限公司 | 发明人 | 余仲哲;彭国伟;李立民 |
| 分类号 | H01L27/02(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L29/08(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人 | 陈红 |
| 主权项 | 一种金属氧化物半导体场效晶体管布局，其特征在于，包含：一漏极区；一栅极区，位于该漏极区的外侧并邻接该漏极区；一源极区，具多个源极区块，位于该栅极区的外侧并邻接该栅极区，该些源极区块之中任两相邻的源极区块之间有一源极空白区域；以及一基极区，具有至少两基极部，分别位于该些源极空白区域，并邻接该栅极区。 | ||
| 地址 | 中国台湾台北县汐止市工建路366号6楼 | ||