用于在玻璃基板上的芯片等级封装的镭射切割的方法

摘要

本发明提供一种用于切割复合电子装置的改良方法。复合电子装置藉由将两个或更多基板84、90合并成一含有多个装置12的组装10而制造。本发明提供用于运用镭射处理80以切割复合电子装置12的方法。这些所示方法可提供较少像是基板36、50的裂痕58或碎裂39的缺点，而同时将隙缝142的宽度最小化并维持系统产出量。

主权项

一种利用一镭射处理系统以进行复合电子装置切割的方法，其中多个这些复合电子装置按一组装所制造，此组装含有按迭层所排置的一第一基板及一第二基板，该多个这些复合电子装置经排置而在这些复合电子装置之间提供街道，并且该镭射处理系统具有一激光束，此者含有包含焦点、速度、波长、能量、光点大小、光点形状、脉冲宽度、脉冲形状和脉冲重复速率在内的参数，该激光束可运作以对这些组装进行镭射加工，其改良方式包含：以具有第一预定镭射参数值的激光束在该第一基板里镭射加工一穿透划切，该穿透划切重合于位在这些复合电子装置间的街道的其中一个；以及以具有第二预定镭射参数值的激光束在该第二基板里镭射加工一雕割，该第二基板里的雕割对齐于该第一基板里的穿透划切；以及沿该雕割以机械方式劈裂该第二基板而切割这些复合电子装置。