发明名称 |
形成像素结构的方法 |
摘要 |
一种形成像素结构的方法,此方法利用第一导电层形成扫描线与数据线段,利用第二导电层形成源极电极、漏极电极与共同电极,并利用透明导电层,以形成像素电极与连接层,其同电极部分重叠于扫描线与数据线段,而连接层通过介电层的开口而电连接源极电极与数据线段。据此,本发明仅需利用五道光掩模即可制作出屏蔽位于数据线上方的像素结构,以大幅提升像素结构的开口率。 |
申请公布号 |
CN101752308B |
申请公布日期 |
2012.04.04 |
申请号 |
CN200910262475.7 |
申请日期 |
2009.12.18 |
申请人 |
友达光电股份有限公司 |
发明人 |
施明宏;刘竹育;吴宙秦;陈怡君;万仁文 |
分类号 |
H01L21/82(2006.01)I;G02F1/1362(2006.01)I;G02F1/1368(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/82(2006.01)I |
代理机构 |
隆天国际知识产权代理有限公司 72003 |
代理人 |
姜燕;邢雪红 |
主权项 |
一种形成像素结构的方法,包括:提供一基板;于该基板上形成一图案化第一导电层,包括一扫描线与一数据线段;于该扫描线与该数据线段上形成一栅极绝缘层;于该栅极绝缘层上形成一沟道层;于该沟道层与该栅极绝缘层上形成一第二导电层;去除部分的该第二导电层,以形成一源极电极、一漏极电极与一共同电极,其中该共同电极部分重叠于该扫描线与该数据线段;于该沟道层、该栅极绝缘层、该源极电极、该漏极电极与该共同电极上形成一介电层;去除部分的该介电层与部分的该栅极绝缘层,以形成一第一开口,其中该第一开口暴露出部分的该源极电极与该数据线段;于该介电层上形成一透明导电层;以及去除部分的该透明导电层,以形成一像素电极与一连接层,其中该连接层通过该第一开口而电连接该源极电极与该数据线段。 |
地址 |
中国台湾新竹市 |