发明名称 半导体装置及其制造方法以及图像显示装置
摘要 本发明提供一种能够以更高密度形成半导体元件的半导体装置及其制造方法。同时提供一种使用了该半导体装置的图像显示装置。半导体装置的特征在于,具有:具有从一面贯通到另一面的通孔的树脂薄膜;配置于所述通孔的内部的有机半导体;覆盖所述有机半导体的一端部的绝缘膜;覆盖所述绝缘膜的栅电极;与所述有机半导体的另一端部电连接的源电极;与所述有机半导体的另一端部电连接的漏电极。
申请公布号 CN101772834B 申请公布日期 2012.04.04
申请号 CN200880101787.3 申请日期 2008.08.06
申请人 松下电器产业株式会社 发明人 中谷诚一;山下嘉久;北江孝史;泽田享
分类号 H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I;H01L51/05(2006.01)I;H01L51/30(2006.01)I;H01L51/40(2006.01)I;H01L51/50(2006.01)I;H05B33/02(2006.01)I;H05B33/10(2006.01)I 主分类号 H01L21/336(2006.01)I
代理机构 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人 汪惠民
主权项 一种半导体装置,其特征在于,具有:具有从第一主面贯通到第二主面的通孔的树脂薄膜;配置于所述通孔的内部的有机半导体;位于所述第一主面侧的、覆盖所述有机半导体的上表面的绝缘膜;覆盖所述绝缘膜的栅电极;位于所述第二主面侧的、与所述有机半导体的下表面电连接的源电极;以及与所述有机半导体的所述下表面电连接的漏电极,还具有:第一主面与所述树脂薄膜的所述第二主面接合的第二树脂薄膜,所述第二树脂薄膜具有:配置在其第二主面的布线层;以及;使所述布线层与所述源电极或所述漏电极导通的通路。
地址 日本大阪府