| 发明名称 | 互连、互连形成方法、薄膜晶体管及显示器 | ||
| 摘要 | 根据本发明的互连形成方法，包括：在绝缘膜(13)上形成金属扩散阻挡膜(14)的步骤；利用无电镀工艺在金属扩散阻挡膜(14)上选择性地形成金属晶种层(18)的步骤；利用电镀工艺在金属晶种层(18)上选择性地形成金属导电层(20)的步骤；以及利用金属导电层(20)作掩模刻蚀金属扩散阻挡膜(14)的步骤。 | ||
| 申请公布号 | CN101373736B | 申请公布日期 | 2012.04.04 |
| 申请号 | CN200810135255.3 | 申请日期 | 2003.09.17 |
| 申请人 | 夏普株式会社 | 发明人 | 门昌辉;青森繁;山元良高 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人 | 陈松涛;王英 |
| 主权项 | 一种互连形成方法，包括：在绝缘基底(13)上形成铜扩散阻挡膜(14)的步骤；利用无电敷镀工艺在该铜扩散阻挡膜(14)上选择性地形成铜晶种层(18)，从而该铜晶种层的侧表面垂直于该绝缘基底(13)的表面的步骤；利用该铜晶种层(18)作为掩模刻蚀该铜扩散阻挡膜(14)，从而该阻挡膜(14)的侧表面垂直于该绝缘基底(13)的表面的步骤；以及利用电镀工艺在该铜晶种层(18)上选择性地形成铜导电层(20)的步骤，其中该方法进一步包括在形成铜晶种层(18)之后退火的步骤，该铜导电层(20)包围该铜晶种层(18)的顶部和侧面，该铜导电层(20)的侧面从该铜扩散阻挡膜(14)的相应侧面延伸出来，并且该铜扩散阻挡膜(14)是从由TaN膜、TiN膜、TaSiN膜和WSiN膜构成的组中选择的。 | ||
| 地址 | 日本大阪 | ||