半导体装置、晶体管及其制造方法

摘要

本发明提供一种半导体装置、晶体管及其制造方法，该半导体装置的制造方法包括于一基板上形成一外延层，其中上述外延层的导电类型与上述基板的导电类型相同；于上述外延层中形成一第一掺杂区，其中上述第一掺杂区的导电类型与上述外延层的导电类型相反；进行一退火步骤，以扩散上述第一掺杂区中的掺质；于部分上述第一掺杂区中分别形成一第二掺杂区和一第三掺杂区，且彼此相邻，其中上述第二掺杂区的导电类型与第一掺杂区的导电类型相反，上述第三掺杂区的导电类型与第一掺杂区的导电类型相同；于上述外延层上形成一栅极结构，并覆盖部分上述第二掺杂区和上述第三掺杂区。

主权项

一种半导体装置的制造方法，其特征在于，该方法包括下列步骤：提供一基板；于该基板上形成一外延层，其中该外延层的导电类型与该基板的导电类型相同；于该外延层中形成一第一掺杂区，其中该第一掺杂区的导电类型与该外延层的导电类型相反；进行一退火步骤，以扩散该第一掺杂区中的掺质；于部分该外延层中分别形成一第二掺杂区和一第三掺杂区，该第二掺杂区和该第三掺杂区于该外延层的边界分别被扩散后该第一掺杂区包围，且彼此相邻，其中该第二掺杂区的导电类型与第一掺杂区的导电类型相反，该第三掺杂区的导电类型与第一掺杂区的导电类型相同；以及于该外延层上形成一栅极结构，并覆盖部分该第二掺杂区和该第三掺杂区。