生产半导体晶片的方法

摘要

一种生产半导体晶片的方法，包含：a)通过将硅棒切割成晶片提供半导体晶片，b)使半导体晶片的边缘圆整，从而使半导体晶片的正面和背面为平面，而边缘区域为圆整倾斜表面。c)抛光半导体晶片的正面和背面，正面抛光包含使用不含固定在抛光垫上的磨料的抛光垫的化学-机械抛光；半导体晶片的背面抛光进行三步，每种情况下使用含有结合在抛光垫上的磨料物质的抛光垫，并用抛光压压在半导体晶片的背面上，在第一步中将不含固体的抛光剂引入到抛光垫和半导体晶片的背面之间，而在第二和第三步骤中引入含有磨料物质的抛光剂，在第一步和第二步中使用8-15psi的抛光压，在第三步中抛光压降至0.5-5psi。

主权项

一种生产半导体晶片的方法，其包含：a)通过将硅棒切割成晶片提供半导体晶片，b)使半导体晶片的边缘圆整，从而使半导体晶片包括在正面和背面上的平面，以及在边缘区域中的圆整倾斜表面，c)抛光半导体晶片的正面和背面，正面抛光包含使用不含固定在抛光垫上的磨料的抛光垫的化学‑机械抛光；半导体晶片的背面抛光进行三步，每种情况下使用含有结合在抛光垫上的磨料物质的抛光垫，并用抛光压力压在半导体晶片的背面上，在第一步中将不含固体的抛光剂引入到抛光垫和半导体晶片的背面之间，而在第二和第三步骤中引入含有磨料物质的抛光剂，在第一步和第二步中使用8‑15psi的抛光压，在第三步中抛光压降至0.5‑5psi。