半导体激光元件、半导体激光装置和使用该装置的光装置

摘要

本发明提供一种半导体激光元件，其包括：包含活性层且具有射出侧谐振器面和反射侧谐振器面的半导体元件层、和射出侧谐振器面的表面上的端面覆盖膜。端面覆盖膜包含：控制射出侧谐振器面的反射率的第一电介质层和第二电介质层，在活性层发出的激光波长为λ、第二电介质层的折射率为n的情况下，第二电介质层的厚度设定为由m×λ/(2×n)(其中，m为整数)规定的厚度，并且，大于第一电介质层的厚度，为1μm以上。

主权项

一种半导体激光元件，其特征在于，包括：包含活性层且具有射出侧谐振器面和反射侧谐振器面的半导体元件层；和在所述射出侧谐振器面的表面上的端面覆盖膜，所述端面覆盖膜包含控制所述射出侧谐振器面的反射率的第一电介质层、第二电介质层，在设所述活性层发出的激光波长为λ、所述第二电介质层的折射率为n的情况下，所述第二电介质层的厚度设定为由m×λ/(2×n)规定的厚度，并且，比所述第一电介质层的厚度大，为1μm以上，其中，m为整数。