| 发明名称 | Ⅲ族氮化物纳米棒发光装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种Ⅲ族氮化物纳米棒发光装置及其制造方法。Ⅲ族氮化物纳米棒发光装置包括：基底；绝缘膜，形成在基底上并且包括暴露部分基底且具有不同直径的多个开口；以及第一导电Ⅲ族氮化物纳米棒，具有不同的直径，第一导电Ⅲ族氮化物纳米棒分别形成在所述多个开口中，其中，每个第一导电Ⅲ族氮化物纳米棒具有顺序地形成在其表面上的有源层和第二导电半导体层。 | ||
| 申请公布号 | CN102403428A | 申请公布日期 | 2012.04.04 |
| 申请号 | CN201110281198.1 | 申请日期 | 2011.09.14 |
| 申请人 | 三星LED株式会社 | 发明人 | 成汉珪;郑薰在;杨丁子;孙哲守 |
| 分类号 | H01L33/08(2010.01)I;H01L33/18(2010.01)I;H01L33/32(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/08(2010.01)I |
| 代理机构 | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人 | 韩芳;郭鸿禧 |
| 主权项 | 一种III族氮化物纳米棒发光装置，所述III族氮化物纳米棒发光装置包括；基底；绝缘膜，形成在基底上并且包括暴露部分基底且具有不同直径的多个开口；以及第一导电III族氮化物纳米棒，具有不同的直径，第一导电III族氮化物纳米棒分别形成在所述多个开口中，其中，每个第一导电III族氮化物纳米棒具有顺序地形成在其表面上的有源层和第二导电半导体层。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道水原市 | ||