发明名称 |
制备X射线衍射光学元件的方法 |
摘要 |
本发明公开了一种制备X射线衍射光学元件的方法。该方法包括:制备掩模基片A,掩模基片A上具有对应待制备X射线衍射光学元件形状的分离的多个条纹状凸起;在纳米压印基底B上旋涂感光光刻胶;以掩膜基片A为掩膜,在感光光刻胶中压印形成与多个条纹状凸起互补的条纹状凹槽;在纳米压印基底B上衍射光学元件形状的条纹状凹槽内沉积第二金属材料;去除纳米压印基底B上残余的感光光刻胶,从而在纳米压印基底B上形成由第二金属材料构成的衍射光学元件。本发明降低了制备X射线衍射光学元件的成本,缩短了其制备周期。 |
申请公布号 |
CN102402118A |
申请公布日期 |
2012.04.04 |
申请号 |
CN201110379973.7 |
申请日期 |
2011.11.25 |
申请人 |
中国科学院微电子研究所 |
发明人 |
谢常青;方磊;朱效立;李冬梅;刘明 |
分类号 |
G03F1/22(2012.01)I;G03F7/00(2006.01)I |
主分类号 |
G03F1/22(2012.01)I |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 11021 |
代理人 |
宋焰琴 |
主权项 |
一种制备X射线衍射光学元件的方法,其特征在于,包括:制备掩模基片A,所述掩模基片A上具有对应待制备X射线衍射光学元件形状的分离的多个条纹状凸起;在纳米压印基底B上旋涂感光光刻胶;以所述掩膜基片A为掩膜,在所述感光光刻胶中压印形成与所述多个条纹状凸起互补的条纹状凹槽;在纳米压印基底B上所述衍射光学元件形状的条纹状凹槽内沉积第二金属材料;去除所述纳米压印基底B上残余的感光光刻胶,从而在所述纳米压印基底B上形成由第二金属材料构成的衍射光学元件。 |
地址 |
100029 北京市朝阳区北土城西路3号 |