发明名称 | 一种<111>织构纳米孪晶Cu块体材料及制备方法 | ||
摘要 | 本发明涉及纳米结构金属材料领域,具体地说是一种<111>织构纳米孪晶Cu块体材料及制备方法,其微观结构由柱状晶粒组成,晶粒尺寸在1-50微米范围内,各晶粒内部均匀分布着高密度的纳米孪晶片层结构,孪晶片层的厚度从30纳米到几百纳米不等。结构特点:<111>织构,柱状晶粒,小角晶界;垂直于生长方向的纳米尺寸孪晶片层,∑3共格孪晶界面;晶粒尺寸、孪晶片层可控生长,块体,其强度可达到粗晶铜的10倍。本发明利用传统的直流电解沉积技术,只需对工艺条件稍作改变,控制适当的镀液组成和沉积参数即可。本发明可解决现有技术中铜材料存在的性能问题,获得的铜材料性能优良,具有高强度的同时,具有高热稳定性、高导电性和塑性。 | ||
申请公布号 | CN102400188A | 申请公布日期 | 2012.04.04 |
申请号 | CN201010278047.6 | 申请日期 | 2010.09.10 |
申请人 | 中国科学院金属研究所 | 发明人 | 金帅;尤泽升;卢磊 |
分类号 | C25D3/38(2006.01)I | 主分类号 | C25D3/38(2006.01)I |
代理机构 | 沈阳科苑专利商标代理有限公司 21002 | 代理人 | 张志伟 |
主权项 | 一种<111>织构纳米孪晶Cu块体材料,其特征在于:该材料微观结构由微米尺寸的柱状晶粒组成,晶粒内部存在取向为<111>的纳米孪晶片层,同一柱状晶内的孪晶片层之间相互平行,孪晶片层的厚度从30纳米到1000纳米,长度贯穿整个晶粒。 | ||
地址 | 110016 辽宁省沈阳市沈河区文化路72号 |