半导体器件及其制造方法

摘要

本发明提供一种半导体器件及其制造方法，具体地说，提供一种可进行稳定的工艺处理的具有沟槽构造的纵向MOSFET的制造方法。在残留有用于在半导体衬底的表面上形成沟槽(7)的氮化硅膜(13)的状态下，用栅电极材料(9)填设沟槽(7)内，除去位于氮化硅膜(13)上的栅电极材料(9)，由此在沟槽(7)内形成栅电极(9)。

主权项

一种半导体器件的制造方法，该半导体器件的制造方法具有以下步骤：在半导体衬底的表面上形成沟道层；在所述半导体衬底的表面上依次形成氮化硅膜和第一氧化硅膜，在覆盖所述沟道层的所述氮化硅膜和所述第一氧化硅膜上设置用于形成沟槽的开口；将所述氮化硅膜和所述第一氧化硅膜作为掩模，在所述开口的位置从所述半导体衬底的表面起形成比所述沟道层深的沟槽；残留所述氮化硅膜，除去所述第一氧化硅膜；将所述氮化硅膜作为掩模，在所述沟槽的侧面形成作为栅氧化膜的第二氧化硅膜；以埋入所述沟槽的方式在所述氮化硅膜的表面堆积栅电极材料之后，将所述氮化硅膜作为掩模，除去位于所述氮化硅膜上的所述栅电极材料，以上端面处于以后成为源区域的所述沟道层的表面之上的方式，在所述沟槽内形成栅电极；以及在除去所述氮化硅膜之后，在所述沟槽的周围形成导电类型与所述沟道层相反的源区域。