| 发明名称 | 沟渠双扩散金属氧化半导体制作方法及装置 | ||
| 摘要 | 一种沟渠双扩散金属氧化半导体制作方法及装置，包括如下步骤：掺杂；注胶和研磨；刻蚀；清洗；热处理；溅射。经过在背面的处理工艺，采用热处理过程后，通过对晶圆片探测数据，有效的改善沟渠双扩散金属氧化半导体没有出现源漏(源极和漏极)软击穿失效的情况。同时相对应所采取的装置是通过现有的高温炉就可以实现，不需要特别的购买新设备或专门的设备，因此节省了成本，提高了经济效益。 | ||
| 申请公布号 | CN102403225A | 申请公布日期 | 2012.04.04 |
| 申请号 | CN201010275941.8 | 申请日期 | 2010.09.07 |
| 申请人 | 无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司 | 发明人 | 陈斌;刘海波;樊杨;侯波;刘江 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人 | 何平 |
| 主权项 | 一种沟渠双扩散金属氧化半导体制作方法，其特征在于，包括如下步骤：掺杂；注胶和研磨；刻蚀；清洗；热处理；溅射。 | ||
| 地址 | 214000 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区汉江路5号 | ||