| 发明名称 | 位于基板上的元件区域以及设计元件布局的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种位于基板上的元件区域以及设计元件布局的方法，本发明所公开的电路布局，元件结构，以及各种相关技术运用虚拟元件(dummy device)使边缘结构中虚拟元件的扩散区域(diffusion region)获得延伸，并允许设计规则所禁止的虚拟元件架构。延伸扩散区域可解决或改善扩散长度(length of diffusion，LOD)及边缘效应(edge effect)所产生的问题。再者，在边缘元件旁放置一虚拟元件的栅极结构后，只需再增加一虚拟结构于该虚拟元件旁，为半导体芯片节省宝贵的使用面积。因此，利用延伸虚拟元件的扩散区域以及允许设计规则所禁止的架构不但可解决或改善扩散长度及边缘效应所产生的问题，同时更不影响布局面积及生产良率。 | ||
| 申请公布号 | CN102403312A | 申请公布日期 | 2012.04.04 |
| 申请号 | CN201110274859.8 | 申请日期 | 2011.09.09 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 蓝丽娇;陶昌雄;李政宏;陆崇基;郑宏正;文特·克玛·阿葛伟;金妡锳;赵炳润 |
| 分类号 | H01L27/02(2006.01)I;H01L21/82(2006.01)I;G06F17/50(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人 | 刘晓飞;张龙哺 |
| 主权项 | 一种位于基板上的元件区域，包括：一边缘元件，该边缘元件的一侧至少有一有用的元件；一虚拟元件，与该边缘元件相邻，该虚拟元件位于该边缘元件的另一侧，与上述有用的元件不同侧，且该虚拟元件与该边缘元件共用一扩散区域以降低该边缘元件的扩散长度与边缘效应的影响；以及一虚拟栅极结构，与该虚拟元件相邻，该虚拟栅极结构以及该虚拟元件的栅极结构需遵守该边缘元件的设计规则。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹市 | ||