电子器件

摘要

一种电子器件，包括用于支持迁移电荷载流子的衬底，形成在衬底表面上的绝缘特征，以限定所述绝缘特征两侧的第一和第二衬底区域，第一和第二衬底区域通过由所述绝缘特征限定的伸长沟道连接，所述沟道在所述衬底中提供从第一区域到第二区域的电荷载流子流动路径，第一和第二衬底区域之间的导电率取决于第一和第二衬底区域之间的电势差。在所述衬底内三个维度中的每一维度上，迁移电荷载流子均可以处于至少两种模式。衬底可以是有机材料。迁移电荷载流子可以具有0.01cm2/Vs到100cm2/Vs范围内的迁移率，并且电子器件可以是RF器件。还描述了用于形成此类器件的方法。

主权项

一种电子器件，包括用于支持迁移电荷载流子的衬底，形成在衬底表面上的绝缘特征，以限定所述绝缘特征两侧的第一和第二衬底区域，第一和第二衬底区域通过由所述绝缘特征限定的伸长沟道连接，所述沟道在所述衬底中提供从第一区域到第二区域的电荷载流子流动路径，第一和第二衬底区域之间的导电率取决于第一和第二衬底区域之间的电势差，其中所述迁移电荷载流子具有0.01cm2/Vs到100cm2/Vs范围内的迁移率，并且其中所述伸长沟道具有预定宽度，从而当在所述第一和第二衬底区域之间施加电压差以使所述迁移电荷载流子流经所述伸长沟道时，第二衬底区域中存在的电压经由所述绝缘特征影响到所述伸长沟道内存在的耗尽区的大小，由此所述沟道的导电率特性取决于所述电压差。