| 摘要 |
Eine lichtemittierende Halbleitervorrichtung (200), umfassend: ein Substrat (210); eine Halbleiterschicht vom n-Typ (230) auf dem Substrat (210); eine aktive Schicht (240) auf der Halbleiterschicht vom n-Typ (230); eine Halbleiterschicht vom p-Typ (250) auf der aktiven Schicht (240); eine reflektierende Elektrode vom n-Typ (270) auf der Halbleiterschicht vom n-Typ (230); und eine reflektierende Elektrode vom p-Typ (280) auf der Halbleiterschicht vom p-Typ (250), wobei die reflektierende Elektrode vom n-Typ (270) mehrere unterteilte Elektroden aufweist, die elektrisch miteinander verbunden sind, und die reflektierende Elektrode vom p-Typ (280) mehrere unterteilte Elektroden aufweist, die elektrisch miteinander verbunden sind. |
