具有独立闸结构之电晶体

摘要

本发明揭示一种制造具有独立闸结构(701、703)之电晶体之方法，该等闸结构各毗邻一半导体结构(105)之数个侧壁，该方法包括在一半导体结构上方沈积至少一正形层，该半导体结构包括该通道区，该至少一正形层包括一层闸材料(203)。一平面层(403)形成于该晶圆上方，在该基板上方之一位置，该平面层具有一上表面，其低于该至少一正形层之上表面。蚀刻该至少一正形层以移除该半导体结构上方之闸材料。