发明名称 溅射靶及氧化物烧结体之制造方法
摘要 本发明系提供溅射靶及氧化物烧结体之制造方法,其中,该溅射靶系用以形成具有低电阻而高透光率之透明导电膜,该透明导电膜为非晶质膜且藉由弱酸蚀刻可以比较容易形成图案,且比较容易结晶化。;本发明系一种形成非晶质状态之透明导电膜的溅射靶,其具备含有氧化铟与因应需要之锡以及钡之氧化物烧结体。
申请公布号 TWI361224 申请公布日期 2012.04.01
申请号 TW096111550 申请日期 2007.04.02
申请人 三井金属鑛业股份有限公司 日本 发明人 高桥诚一郎;宫下德彦
分类号 C23C14/34;C23C14/08;H01B5/14 主分类号 C23C14/34
代理机构 代理人 洪武雄 台北市中正区博爱路35号9楼;陈昭诚 台北市中正区博爱路35号9楼
主权项
地址 日本