发明名称 |
溅射靶及氧化物烧结体之制造方法 |
摘要 |
本发明系提供溅射靶及氧化物烧结体之制造方法,其中,该溅射靶系用以形成具有低电阻而高透光率之透明导电膜,该透明导电膜为非晶质膜且藉由弱酸蚀刻可以比较容易形成图案,且比较容易结晶化。;本发明系一种形成非晶质状态之透明导电膜的溅射靶,其具备含有氧化铟与因应需要之锡以及钡之氧化物烧结体。 |
申请公布号 |
TWI361224 |
申请公布日期 |
2012.04.01 |
申请号 |
TW096111550 |
申请日期 |
2007.04.02 |
申请人 |
三井金属鑛业股份有限公司 日本 |
发明人 |
高桥诚一郎;宫下德彦 |
分类号 |
C23C14/34;C23C14/08;H01B5/14 |
主分类号 |
C23C14/34 |
代理机构 |
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代理人 |
洪武雄 台北市中正区博爱路35号9楼;陈昭诚 台北市中正区博爱路35号9楼 |
主权项 |
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地址 |
日本 |