发明名称 电压容差浮接N井电路
摘要 本发明提出一种用于电压容差浮接N井电路之方法及装置。提出一种用于减少由输入电压引起之泄漏电流的装置,该装置包括一第一电晶体,该第一电晶体具有一耦接至一正电压供应之源极及一耦接至一浮接节点之汲极。该装置可进一步包括一耦接至一负电压供应及该第一电晶体之可控制下拉路径,其中该可控制下拉路径经组态以在一第一状态期间接通该第一电晶体及上拉该浮接节点。该装置可进一步包括一第二电晶体,其具有一耦接至该第一电晶体之闸极的源极及耦接至该浮接节点的汲极,其中该第二电晶体经组态以在一第二状态期间将该浮接节点置于一浮接电位下。
申请公布号 TWI361565 申请公布日期 2012.04.01
申请号 TW097129390 申请日期 2008.08.01
申请人 高通公司 美国 发明人 艾柏赫克 固帕塔;凡那福 史林福斯;福克 摩汉
分类号 H03K19/0175 主分类号 H03K19/0175
代理机构 代理人 陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼
主权项
地址 美国