半穿反液晶显示装置之画素结构的制作方法

摘要

本发明之制作方法包括于基板上形成由透明导电层与金属层堆叠而成之图案化第一导电层，作为闸极线、闸极、共用电极线以及设于穿透区域之预定穿透画素电极结构；以及于基板上形成图案化之第二导电层，以形成资料线以及反射画素电极，并且直接连接源极/汲极等离子掺杂区。根据本发明之制作方法，本发明可利用五道光罩制作出半穿反液晶显示装置之画素结构，大幅简化半穿反液晶显示装置之制造过程，进而增加产能并且降低制造成本。