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经营范围
发明名称
Method of production of zinc oxide type p semiconductor layer
摘要
申请公布号
PL210944(B1)
申请公布日期
2012.03.30
申请号
PL20080385139
申请日期
2008.05.09
申请人
INSTYTUT TECHNOLOGII ELEKTRONOWEJ
发明人
KAMI&NACUTE,SKA ELIANA;PIOTROWSKA ANNA;PASTERNAK IWONA
分类号
H01L31/0216;H01L33/00
主分类号
H01L31/0216
代理机构
代理人
主权项
地址
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