发明名称 Multichip-Halbleitergehäuse und deren Zusammenbau
摘要 Es werden Halbleitergehäuse und Verfahren zu ihrer Herstellung beschrieben. In einer Ausführungsform enthält das Halbleitergehäuse ein Substrat mit einem ersten und einem zweiten Die-Attach-Pad. Ein erstes Mikroplättchen wird über dem ersten Die-Attach-Pad angeordnet. Ein zweites Mikroplättchen wird über dem zweiten Die-Attach-Pad angeordnet. Ein drittes Mikroplättchen wird zwischen dem ersten und dem zweiten Mikroplättchen angeordnet. Das dritte Mikroplättchen hat einen ersten, einen zweiten und einen dritten Teil derart, dass der erste Teil über einem Teil des ersten Mikroplättchens angeordnet ist, der zweite Teil über einem Teil des zweiten Mikroplättchens angeordnet ist, und der dritte Teil über einem Bereich zwischen dem ersten Mikroplättchen und dem zweiten Mikroplättchen angeordnet ist.
申请公布号 DE102011053871(A1) 申请公布日期 2012.03.29
申请号 DE20111053871 申请日期 2011.09.22
申请人 INFINEON TECHNOLOGIES AG 发明人 CHONG, CHOOI MEI;LEE, TECK SIM
分类号 H01L25/18;H01L23/04;H01L23/495 主分类号 H01L25/18
代理机构 代理人
主权项
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