发明名称 Verfahren zur elektrischen Isolierung beziehungsweise elektrischen Kontaktierung von ungehäusten elektronischen Bauelementen bei strukturierter Verkapselung
摘要 Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur elektrischen Isolierung mindestens eines ungehäusten elektronischen Bauelements (1) mit mindestens einer jeweils auf einer Oberseite (3) und/oder einer Unterseite (5) angeordneten Anschlussfläche (7) zur Befestigung und/oder zur elektrischen Kontaktierung, mit den Schritten – Befestigen und/oder elektrisches Kontaktieren der Anschlussfläche (7) auf der Unterseite (5) mit jeweils einer, der Anschlussfläche (7) gegenüberliegenden, Anschlussfläche (9) auf einem vorstrukturierten Substrat (11), – Erzeugen einer strukturierten Verkapselung des elektronischen Bauelements (1) mittels Ausbildens einer elektrisch isolierenden Masse (13) zwischen der das elektronische Bauelement (1) tragenden Seite des Substrats (11) und einem Formwerkzeug (15), wobei durch das Formwerkzeug (15) in der elektrisch isolierenden Masse (13), auf deren Oberseite, Gräben erzeugt werden, und – Erzeugen von in den Gräben eingeebneten Leiterbahnen (27). Ein planares elektrisches Kontaktieren gemäß der WO 03/30247 A2 wird dadurch erheblich vereinfacht, dass keine dünne Folie auflaminiert und danach darin keine Öffnungen erzeugt werden müssen. Die vorliegende Erfindung eignet sich für Hochleistungsbauelemente, insbesondere für den Hochspannungsbereich größer 1000 V.
申请公布号 DE102007041926(B4) 申请公布日期 2012.03.29
申请号 DE20071041926 申请日期 2007.09.04
申请人 SIEMENS AG 发明人 KALTENBACHER, AXEL;KASPAR, MICHAEL, DR.;SCHIMETTA, GERNOT, DR.;SCHWARZBAUER, HERBERT, DR.;WEIDNER, KARL;WEINKE, ROBERT;ZAPF, JOERG
分类号 H01L21/56;H01L21/60;H01L23/28;H01L25/07 主分类号 H01L21/56
代理机构 代理人
主权项
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