发明名称 |
Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie sowie Verfahren zur mikrolithographischen Belichtung |
摘要 |
Eine Projektionsbelichtungsanlage (10) für die Mikrolithographie zum Belichten eines Substrats (20) umfasst ein Projektionsobjektiv (18) sowie eine optische Messvorrichtung (40) zum Bestimmen einer Oberflächentopographie des Substrats (20) vor dessen Belichtung. Die Messvorrichtung (40) weist einen Messstrahlengang auf, welche außerhalb des Projektionsobjektivs (18) verläuft, ist dazu konfiguriert, Topographiemesswerte zeitgleich an mehreren Stellen der Substratoberfläche (21) zu ermitteln.
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申请公布号 |
DE102010041558(A1) |
申请公布日期 |
2012.03.29 |
申请号 |
DE20101041558 |
申请日期 |
2010.09.28 |
申请人 |
CARL ZEISS SMT GMBH |
发明人 |
HETZLER, JOCHEN;BLEIDISTEL, SASCHA;GRUNER, TORALF;HARTJES, JOACHIM;SCHWAB, MARKUS;WOLF, ALEXANDER |
分类号 |
G03F7/20 |
主分类号 |
G03F7/20 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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