Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie und Verfahren zur mikrolithographischen Abbildung

摘要

Eine Projektionsbelichtungsanlage (10) für die Mikrolithographie zum Abbilden von Maskenstrukturen (22) eines bildgebenden Substrats (20) auf ein zu strukturierendes Substrat (30) umfasst eine Messvorrichtung (40), welche dazu konfiguriert ist, eine Lagebeziehung von auf einer Oberfläche eines der Substrate (20; 30) angeordneten Messstrukturen (32) zueinander in zumindest einer lateralen Richtung bezüglich der Substratoberfläche zu bestimmen und dabei mehrere lateral zueinander versetzt angeordnete Messstrukturen (32) zeitgleich zu vermessen.