HALBLEITERSTRUKTUR UND VERFAHREN ZU DEREN HERSTELLUNG

摘要

Eine oder mehrere Ausführungsformen betreffen ein Verfahren zum Herstellen einer Halbleiterstruktur, das Folgendes umfasst: Bereitstellen eines Werkstücks (210); Ausbilden einer Barrierenschicht (220) über dem Werkstück (210); Ausbilden einer Trennschicht (230) über der Barrierenschicht (220); Ausbilden einer leitenden Schicht (240) über der Trennschicht (230) und Nassätzen der leitenden Schicht (240).