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Eine oder mehrere Ausführungsformen betreffen ein Verfahren zum Ausbilden eines Speicherbauelements, wobei das Speicherbauelement ein Steuergate (252), eine Ladungsspeicherungsstruktur und ein Auswahlgate (280A) aufweist, wobei das Verfahren Folgendes aufweist: Ausbilden eines Gateturms (262), wobei der Gateturm (262) das Steuergate (252) über der Ladungsspeicherungsstruktur enthält; Ausbilden eines seitlich von dem Gateturm (262) beabstandeten Dummyturms (264) und Ausbilden eines Auswahlgates (280A) zwischen dem Gateturm (262) und dem Dummyturm (264).
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