发明名称 |
一种共阴、共阳封装二极管对的测试方法 |
摘要 |
一种共阴、共阳封装二极管对的测试方法,属于电子产品领域,方案是:分别测试两臂两个二极管各自的击穿电压、反向漏电流和正向导通电压,并且比较每组数据的差别,差别范围设定为±5%;测试和比较两臂两个二极管的瞬态热阻:通电时间为0.38~2ms的冷态导通电压值(Vonl)与通电时间为10~100ms的热态导通电压值(Vonr)的差值;每个二极管各自的冷热态导通电压之差不大于100-300mV,两臂两个二极管的这个差值之差不能大于15-30mV;满足上述条件的为良品。本发明的方法更贴近实践使用,得到的结果能可靠反映产品实践性能,通过测试的产品质量等级高,使用寿命更长。 |
申请公布号 |
CN102393500A |
申请公布日期 |
2012.03.28 |
申请号 |
CN201110298889.2 |
申请日期 |
2011.10.08 |
申请人 |
赵振华;无锡罗姆半导体科技有限公司 |
发明人 |
赵振华 |
分类号 |
G01R31/26(2006.01)I;G01R31/12(2006.01)I;G01R31/02(2006.01)I;G01R19/10(2006.01)I;G01R27/32(2006.01)I |
主分类号 |
G01R31/26(2006.01)I |
代理机构 |
江苏英特东华律师事务所 32229 |
代理人 |
邵鋆 |
主权项 |
一种共阴、共阳封装二极管对的测试方法,分别测试两臂两个二极管各自的击穿电压、反向漏电流和正向导通电压,并且比较每组数据的差别,差别范围设定为±5%;测试和比较两臂两个二极管的瞬态热阻:通电时间为0.38~2ms的冷态导通电压值(Vonl)与通电时间为10~100ms的热态导通电压值(Vonr)的差值;每个二极管各自的冷热态导通电压之差不大于100‑300mV,两臂两个二极管的这个差值之差不能大于15‑30 mV;满足上述条件的为良品。 |
地址 |
214001 江苏省无锡市崇安区健康里8号门402 |