在半导体存储器件中形成隔离层的方法

摘要

本发明涉及一种形成半导体存储器件的隔离膜的方法。依据本发明，在形成隧道氧化膜之前所执行的预处理清洗工艺中，在60℃-70℃的温度范围内执行SC-1清洗工艺。因此，即使在SC-1清洗工艺和DHF清洗工艺中，也可使单元区域和周边区域中的氧化膜凹进。因而可减少DHF清洗时间。因此，本发明具有以下优点，即本发明可通过DHF使硅衬底的损失最小化，因而可控制沟的深度。

主权项

一种形成隔离膜的方法，包括下列步骤：提供一半导体衬底，在该半导体衬底中形成有一垫氧化膜；在该垫氧化膜上淀积一垫氮化物膜；蚀刻该垫氮化物膜、该垫氧化膜和部分该半导体衬底，以形成沟槽；淀积一绝缘膜，以填埋所述沟槽；抛光该绝缘膜；剥离该垫氮化物膜；以及执行使用DHF或BOE的清洗工艺以及SC‑1清洗工艺，以剥离该垫氧化膜，其中该SC‑1清洗工艺是在使该垫氧化膜凹进的温度内执行，其中执行该SC‑1清洗工艺，以使形成在该半导体衬底的高电压区域中的垫氧化膜凹进包括所述使用DHF或BOE的清洗工艺以及所述SC‑1清洗工艺的整个清洗工艺的整个蚀刻目标的1/4‑1/2。