| 发明名称 |
Method for producing a semiconductor device using laser annealing for selectively activating implanted dopants |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
EP2360717(B1) |
申请公布日期 |
2012.03.28 |
| 申请号 |
EP20090178466 |
申请日期 |
2009.12.09 |
| 申请人 |
ABB TECHNOLOGY AG |
发明人 |
VOBECKY, JAN;RAHIMO, MUNAF |
| 分类号 |
H01L21/331;H01L21/265;H01L21/268 |
主分类号 |
H01L21/331 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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