| 发明名称 | 沉积包含锑的相变材料到衬底的方法和形成相变存储器电路的方法 | ||
| 摘要 | 本发明揭示一种沉积包含锑的相变材料到衬底的方法，其包括向衬底提供还原剂和汽化Sb(OR)3(其中R是烷基)和借此在所述衬底上形成包含锑的相变材料。所述相变材料具有不大于10原子％的氧且包括除锑外的另一金属。 | ||
| 申请公布号 | CN102396061A | 申请公布日期 | 2012.03.28 |
| 申请号 | CN201080016496.1 | 申请日期 | 2010.03.24 |
| 申请人 | 美光科技公司 | 发明人 | 蒂莫西·A·奎克;尤金·P·马什 |
| 分类号 | H01L21/8247(2006.01)I;H01L27/115(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/8247(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人 | 宋献涛 |
| 主权项 | 一种沉积包含锑的相变材料到衬底的方法，其包含向衬底提供还原剂和汽化的Sb(OR)3，其中R是烷基；和借此在所述衬底上形成包含锑的相变材料，所述相变材料具有不大于10原子％的氧且包含除锑外的另一金属。 | ||
| 地址 | 美国爱达荷州 | ||