定向凝固法中籽晶熔化状态判断方法以及引晶控制系统

摘要

本发明公开了一种定向凝固法中籽晶熔化状态判断方法以及引晶控制系统，通过在坩埚底部放置测温探头，并通过计算升温速率的来判断籽晶是否处于半熔化的状态，从而实现了定向凝固法生长硅晶体中的引晶控制，有利于增加硅锭的生产率，提高类单晶硅生长的成功率，提高硅晶体的品质。

主权项

一种定向凝固法生长硅晶体中籽晶熔化状态判断方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)装料前，先将测温探头放置在坩埚的下方且与所述坩埚的外底面的距离为0～80mm；再将籽晶紧密排布放置在所述坩埚内的底部平面，形成籽晶层；然后在所述籽晶层上面放置硅原料；(2)加热使所述硅原料熔化形成硅熔液，观测并记录所述坩埚内出现硅液面的时间；同时记录所述测温探头测得的温度，并通过求所测得的温度对时间的一阶导数计算得到所述测温探头所在位置的升温速率T’；(3)自所述坩埚内出现硅液面起3小时后，根据每一时刻升温速率T’的大小判断籽晶的熔化状态：(i)T’＜0.15℃/min，则籽晶完全没有熔化；(ii)0.15℃/min＜T’＜0.3℃/min，则籽晶处于半熔化状态；(iii)T’＞0.35℃/min，则籽晶已完全熔化；(iv)其他情况为上述3种状态的过渡情况。