| 发明名称 | 提高半导体器件中电感器的品质因子的方法 | ||
| 摘要 | 一种在硅衬底(10)中制造电感器(70)的方法，其中，在沉积了抗蚀剂层(82)并且蚀刻了多晶硅层(30)之后，但在剥离抗蚀剂层(82)并且将多晶硅退火之前，执行氩注入步骤(84)。因而，在衬底(10)上产生非晶层(86)，使得在不需要附加的遮挡步骤或不对多晶硅层(30)造成不利影响的情况下改善了电感器(70)的Q因子。 | ||
| 申请公布号 | CN101449362B | 申请公布日期 | 2012.03.28 |
| 申请号 | CN200780017910.9 | 申请日期 | 2007.05.15 |
| 申请人 | NXP股份有限公司 | 发明人 | 塞巴斯蒂安·雅克兰 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I;H01L27/08(2006.01)I;H01L23/522(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I;H01L21/266(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海翰鸿律师事务所 31246 | 代理人 | 李佳铭 |
| 主权项 | 一种制造集成电路的方法(70)，该集成电路载有至少一个无源元件，该方法包括：提供可以在其上形成无源元件的半导体衬底(10)；在所述衬底(10)上沉积导电材料层(30)；在所述导电材料层(30)上提供构图的抗蚀剂层(82)作为掩模并且蚀刻所述导电材料层(30)；其特征在于，该方法进一步包括：执行离子注入步骤(84)，以在所述衬底(10)上未被所述蚀刻的导电材料层(30)以及所述构图的抗蚀剂层(82)覆盖的区域中产生非晶层(86)；以及在所述离子注入步骤之后去除所述构图的抗蚀剂层(82)。 | ||
| 地址 | 荷兰艾恩德霍芬 | ||