| 发明名称 | 溅射靶、透明导电膜及它们的制造方法 | ||
| 摘要 | 由氧化铟和氧化锡构成的溅射靶，其中，锡原子的含有率为铟原子和锡原子合计的3～20原子％，且溅射靶中结晶的最大粒径为5μm以下。该溅射靶在用溅射法进行透明导电膜成膜时，可以抑制在靶表面生成小结，可以稳定性良好地进行溅射。 | ||
| 申请公布号 | CN1545567B | 申请公布日期 | 2012.03.28 |
| 申请号 | CN02816424.5 | 申请日期 | 2002.07.08 |
| 申请人 | 出光兴产株式会社 | 发明人 | 井上一吉;松崎滋夫 |
| 分类号 | C23C14/08(2006.01)I;C23C14/34(2006.01)I;H01B5/14(2006.01)I | 主分类号 | C23C14/08(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 陈昕 |
| 主权项 | 溅射靶，是由氧化铟和氧化锡构成的，其中，锡原子的含有率为铟原子和锡原子合计的5～20原子％，且溅射靶中氧化铟结晶的最大粒径为5μm以下，还含有化合价为3价以上的金属的氧化物作为第三元素，该第三元素的含有率为全部金属原子的0.1～10原子％。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||