| 发明名称 | 消除浅沟道隔离中角落效应的研磨方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种消除浅沟道隔离中角落效应的研磨方法，包括将晶片放置于研磨台上，用一握柄抓住所述晶片，所述研磨台与所述晶片表面之间的研磨压力为1.9至2.1磅/平方英寸，所述研磨台旋转速度为71至75转/分钟，所述握柄旋转速度为65至69转/分钟，本发明减小了研磨压力并减慢了研磨时旋转的速度，从而有效地避免了浅沟道隔离中角落效应的问题的发生。 | ||
| 申请公布号 | CN101786260B | 申请公布日期 | 2012.03.28 |
| 申请号 | CN200910045936.5 | 申请日期 | 2009.01.22 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 邓永平 |
| 分类号 | B24B37/04(2012.01)I;H01L21/762(2006.01)I | 主分类号 | B24B37/04(2012.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 屈蘅;李时云 |
| 主权项 | 一种消除浅沟道隔离中角落效应的研磨方法，包括将晶片放置于研磨台上，用一握柄抓住所述晶片，其特征在于：所述研磨台与所述晶片表面之间的研磨压力为1.9至2.1磅/平方英寸，所述研磨台旋转速度为71至75转/分钟，所述握柄旋转速度为65至69转/分钟。 | ||
| 地址 | 201203 上海市张江路18号 | ||